图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:236 |
|
最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
| 规格书 |
 BUZ32 H |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 200V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 9.5A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 400 mOhm @ 6A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | - |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 530pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 75W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
| 包装材料 | Tube |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 9.5A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 1mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 200V |
| 标准包装 | 500 |
| 供应商设备封装 | PG-TO220-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 400 mOhm @ 6A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 75W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 530pF @ 25V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 9.5 A |
| 系列 | BUZ32 |
| RDS（ON） | 400 mOhms |
| 功率耗散 | 75 W |
| 商品名 | OptiMOS |
| 典型关闭延迟时间 | 55 nS |
| 零件号别名 | BUZ32HXKSA1 SP000682998 |
| 上升时间 | 40 nS |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 30 nS |
BUZ32 H也可以通过以下分类找到
BUZ32 H相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
